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.研究用高纯度硅晶片 4×P型(高电阻) 4×P型(高电阻) 2-960-08 研究用高純度シリコンウェハー
作为研究・开发用途有一定实际业绩,供应从少量起步的采用高纯度材料的晶片。
●制造方法:CZ法●平面方位:100●OF位置:110●电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・cm、高电阻:≧500Ω・cm●粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下
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